NADIKABAR.COM — (ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah memperluas jajaran produknya dengan meluncurkan “IX800FXF2YMS4,” sebuah modul MOSFET SiC ganda untuk peralatan industri, termasuk kendaraan kereta api, sistem pembangkit listrik energi terbarukan, dan sistem konversi daya. Modul baru ini dilengkapi chip MOSFET silikon karbida (SiC) generasi ketiga buatan Toshiba, dengan voltase drain-source sebesar 3.300 V dan arus drain (DC) sebesar 800 A. Spesifikasinya mencantumkan nilai batas I2t di bagian diode, yang merupakan indikator kemampuan menahan arus lonjakan.

Produsen peralatan industri, termasuk inverter dan konverter traksi kereta api, sistem pembangkit listrik energi terbarukan, serta peralatan kontrol motor industri, harus senantiasa memenuhi tuntutan yang semakin tinggi terkait efisiensi yang lebih tinggi, ukuran yang lebih kecil, dan keandalan yang lebih baik. Dalam sistem tersebut, arus lonjakan besar yang dapat mengalir melalui modul semikonduktor daya dalam kondisi tidak normal harus diatasi dengan kemampuan menahan arus lonjakan yang memadai.

IX800FXF2YMS4 memiliki desain chip SiC yang dioptimalkan dan menghasilkan karakteristik I2t sebesar 300kA2 det[1], yang merupakan indikator kemampuan menahan arus lonjakan di bagian diode dalam kondisi abnormal..

Modul ini memiliki voltase saat menyala drain-source (sense) (VDS(on)sense ) sebesar 1,4V (tip.)[2] , yang membantu mengurangi kerugian konduksi. Kerugian switching saat dihidupkan (Eon ) sebesar 185mJ (tip.)[3] dan kerugian switching saat dimatikan (Eoff ) sebesar 175mJ (tip.)[3] membantu mengurangi kerugian switching. Karakteristik ini berkontribusi pada peningkatan keandalan dan efisiensi peralatan, serta memungkinkan penggunaan sistem pendingin yang lebih ringkas.

Produk baru ini menggunakan paket iXPLV™[4], yang memiliki kompatibilitas pemasangan yang sangat baik. Produk ini menggunakan teknologi pengikatan sintering perak guna meningkatkan ketahanan panas dan keandalan bagian yang direkatkan dengan chip SiC, sehingga mampu mencapai batas suhu channel 175°C yang diperlukan untuk peralatan industri.

Penambahan baru dalam jajaran produk Toshiba ini menjadikan jumlah modul MOSFET SiC dalam paket iXPLV™ menjadi empat macam, sehingga memperluas pilihan produk yang tersedia.

Toshiba akan terus memperluas jajaran modul MOSFET SiC untuk peralatan industri dan menyediakan pilihan produk yang lebih beragam yang sesuai dengan berbagai spesifikasi dan aplikasi peralatan. Perusahaan ini juga akan berkontribusi dalam mewujudkan peralatan industri yang lebih andal, efisien, dan ringkas.

Catatan: [1] Kondisi uji: Tch(initial) =175°C, VGS =-6V, setengah gelombang sinus 10 mdet 1 pulsa, F.R.=1% [2] Kondisi uji: ID =800A, VGS =+20V, Tch =25°C [3] Kondisi uji: VDD =1800V, ID =800A, VGS =+20V/-6V, Cgs =100nF, RG(on) =1,2Ω, RG(off) =1,2Ω, Tch =175°C, LS ≃70nH [4] iXPLVTM : Singkatan dari intelligent fleXible Package Low Voltage

Catatan:[5] SST: Transformator generasi terbaru yang memanfaatkan semikonduktor daya untuk menghasilkan ukuran yang ringkas, konversi voltase yang sangat efisien, dan kontrol daya yang canggih.

(Tc =25°C, Kecuali ditentukan lain)