Toshiba Luncurkan Modul MOSFET SiC 3.300 V dengan Kemampuan Menahan Arus Lonjakan Tinggi yang Membantu Meningkatkan Keandalan Peralatan Industri

Nilai batas I2t (Diode) I2 t (kA2 s)

Tch(initial) =175°C, VGS =-6V, setengah gelombang sinus 10 mdet 1 pulsa, F.R.=1%

Voltase saat menyala drain-source (sense) VDS(on)sense (V)

Voltase saat menyala source-drain (sense) VSD(on)sense (V)

Voltase saat mati source-drain (sense) VSD(off)sense (V)

VDD =1800V, ID =800A, VGS =+20V/-6V, Cgs =100nF, RG(on) =1,2Ω, RG(off) =1,2Ω, Tch =175°C, LS ≃70nH

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru.IX800FXF2YMS4

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang jajaran perangkat daya SiC Toshiba.Perangkat Daya SiC

* iXPLV™ merupakan merek dagang milik Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan lainnya mungkin merupakan merek dagang masing-masing perusahaan.* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada saat informasi ini diumumkan, tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.